ACTUALITES

Au coeur des microprocesseurs, les transistors sont de minuscules interrupteurs électriques qui convertissent les informations binaires en flux électrique : "1" le courant passe, "0" il ne passe pas. Jusqu'à présent, leur plus petite taille était de 65 nm (nanomètres). Plus elle est réduite, et plus les processeurs sont puissants car plus on peut assembler de transistors sur une même puce. Face à des contraintes physiques qui semblaient insurmontables, AMD et Intel ont mis au point de nouvelles architectures multi-coeurs qui juxtaposent plusieurs microprocesseurs sur une même puce.

Coup de théâtre, Intel et une alliance entre IBM, AMD, Sony et Toshiba viennent d'annoncer la mise en production prochaine de micro-processeurs reposants sur une finesse de gravure de 45 nm. Grâce à une technologie de semi-conducteurs dénommée "High-K Metal Gate", ils vont pouvoir faire tenir deux fois plus de transistors sur une puce qu'il y a quatre ans.

Jusqu'à présent, une telle densité engendrait une déperdition de courant (ou "courant de fuite") trop importante en utilisant les technologies existantes. Intel et l'alliance IBM-AMD-Sony-Toshiba ont heureusement trouvé un nouveau matériau permettant de remplacer le dioxyde de silicium qui servait jusqu'à présent à isoler les transistors. Ils utilisent désormais de l'oxyde d'hafnium. Grâce à ce nouveau matériau, les processeurs 45 nm devraient générer cinq fois moins de fuites d'énergie. Un point particulièrement important car ils chaufferont donc moins tout en améliorant l'autonomie des PC et autres périphériques portables : téléphones, PDA, lecteurs MP3, etc.

Intel incorporera cette technologie dès le second semestre 2007 dans ses nouveaux processeurs Core 2 (nom de code Penryn) et l'alliance IBM durant le premier trimestre 2008.